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2SD1263R

更新时间： 2024-02-28 03:50:43

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	77K
描述
Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3

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2SD1263R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.75	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	0.75 A	集电极-发射极最大电压：	250 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	30 MHz
Base Number Matches：	1

2SD1263R 数据手册

Power Transistors

2SD1263, 2SD1263A

Silicon NPN triple diffusion planar type

For power amplification

Unit: mm

10.0 0.2

5.5 0.2

4.2 0.2

■ Features

2.7 ^0.2

• High collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

• Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw

φ 3.1 0.1

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

350

Unit

1.3 0.2

2SD1263

2SD1263A

2SD1263

2SD1263A

V_CBO

Collector-base voltage

(Emitter open)

1.4 0.1

400

+0.2

–0.1

0.5

0.8 0.1

V_CEO

250

Collector-emitter voltage

(Base open)

300

2.54 0.3

5.08 0.5

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

1: Base

Collector current

I_C

I_CP

P_C

0.75

1.5

2: Collector

3: Emitter

EIAJ: SC-67

2 3

Peak collector current

T_C= 25°C

Collector power

dissipation

TO-220F-A1 Package

2.0

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

250

300

Typ

Max

Unit

2SD1263

V_CEO

I_C= 30 mA, I_B= 0

Collector-emitter voltage

(Base open)

2SD1263A

Base-emitter voltage

V_BE

I_CES

V_CE= 10 V, I_C= 1 A

V_CE= 350 V, V_BE= 0

V_CE= 400 V, V_BE= 0

V_CE= 150 V, I_B= 0

V_CE= 200 V, I_B= 0

V_EB= 5 V, I_C= 0

1.5

2SD1263

2SD1263A

2SD1263

2SD1263A

Collector-emitter cutoff

current (E-B short)

I_CEO

Collector-emitter cutoff

current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

I_EBO

h_FE1

V_CE= 10 V, I_C= 0.3 A

V_CE= 10 V, I_C= 1 A

250



h_FE2

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

Turn-on time

V_CE(sat)I_C= 1 A, I_B= 0.2 A

MHz

µs

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= 5 V, I_C= 0.5 A, f = 10 MHz

0.5

2.0

0.5

I_C= 1 A, I_B1= 0.1 A, I_B2= − 0.1 A

V_CC= 50 V

Storage time

µs

Fall time

µs

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE1

40 to 90

70 to 150

120 to 250

Publication date: April 2003

SJD00179BED

12 3

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与2SD1263R相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SD1264	SAVANTIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2SD1264	PANASONIC	Silicon NPN triple diffusion planar type	获取价格
2SD1264	ISC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2SD1264/2SD1264A	ETC	2SD1264. 2SD1264A - NPN Transistor	获取价格
2SD1264A	PANASONIC	Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification)	获取价格
2SD1264A	SAVANTIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格

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