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2SD1260Q

更新时间： 2024-02-24 20:27:43

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其他 - ETC		晶体晶体管放大器
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3页	68K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-221VAR

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2SD1260Q 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.83	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	2.5 V	Base Number Matches：	1

2SD1260Q 数据手册

Power Transistors

2SD1260, 2SD1260A

Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington

Unit: mm

For power amplification

3.4±0.3

8.5±0.2

6.0±0.5

1.0±0.1

Complementary to 2SB0937 (2SB937) and 2SB0937A (2SB937A)

Features

High foward current transfer ratio h_FE

■

●

1.5max.

1.1max.

0.5max.

●

High-speed switching

N type package enabling direct soldering of the radiating fin to

●

0.8±0.1

the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.

2.54±0.3

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

5.08±0.5

1:Base

2:Collector

3:Emitter

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

Collector to

2SD1260

2SD1260A

2SD1260

N Type Package

V_CBO

base voltage

Collector to

Unit: mm

8.5±0.2

6.0±0.3

3.4±0.3

1.0±0.1

V_CEO

emitter voltage 2SD1260A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

V_EBO

I_CP

I_C

R0.5

0.8±0.1

Collector power T_C=25°C

0 to 0.4

2.54±0.3

P_C

1.1 max.

5.08±0.5

dissipation

Ta=25°C

1.3

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

1:Base

2:Collector

3:Emitter

T_stg

–55 to +150

N Type Package (DS)

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Collector cutoff

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

Unit

2SD1260

2SD1260A

2SD1260

2SD1260A

V_CE= 60V, I_E= 0

current

V_CE= 80V, I_B= 0

V_CE= 30V, I_B= 0

V_CE= 40V, I_B= 0

V_EB= 5V, I_C= 0

Collector cutoff

current

I_CEO

I_EBO

V_CEO

h_FE1

Emitter cutoff current

Collector to emitter 2SD1260

voltage 2SD1260A

I_C= 30mA, I_B= 0

V_CE= 4V, I_C= 1A

1000

Forward current transfer ratio

Base to emitter voltage

h_FE2

V_CE= 4V, I_C= 2A

10000

2.8

V_BE

V_CE= 4V, I_C= 2A

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

I_C= 2A, I_B= 8mA

2.5

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= 10V, I_C= 0.5A, f = 1MHz

0.5

MHz

µs

I_C= 2A, I_B1= 8mA, I_B2= –8mA,

V_CC= 50V

µs

Internal Connection

^*h_FE2Rank classification

Rank

h_FE2

Note) The part numbers in the parenthesis

show conventional part number.

1000 to 2500 2000 to 5000 4000 to 10000

12 3

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与2SD1260Q相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SD1260R	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-221VAR	获取价格
2SD1260TX	PANASONIC	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2	获取价格
2SD1261	PANASONIC	Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For power amplification)	获取价格
2SD1261/2SD1261A	ETC	2SD1261. 2SD1261A - NPN Transistor Darlington	获取价格
2SD1261A	PANASONIC	Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification and switching)	获取价格
2SD1261AH	PANASONIC	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2	获取价格

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