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2SC5211

更新时间： 2024-01-17 11:32:13

品牌	Logo	应用领域
科信 - KEXIN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	50K
描述
Small Signal Transistor

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数据手册

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2SC5211 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SC5211 数据手册

SMD Type

Transistors

Small Signal Transistor

2SC5211

Features

High voltage VCEO=50V.

Small package for mounting.

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector-emitter voltage

Peak collector current

Collector current

Symbol

V^CBO

V^EBO

V^CEO

I^CM

Rating

Unit

V

55

4

V

50

V

600

mA

mA

mW

I^C

400

Collector dissipation

Jumction temperature

Storage temperature

P^C

500

T^j

150

Tstg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Testconditons

Min

55

4

Typ

Max

Unit

V

Colllector-base breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Collector cutoff current

V^(BR)CBOIC=10ìA,IE=0

V^(BR)EBOIE=10ìA,IC=0

V

V^(BR)CEO

50

V

IC=100ìA,RBE=

I^CBO

VCB=25V,IE=0

VEB=2V,IC=0

1

1

ìA

ìA

Emitter cutoff current

I^EBO

DC current gain

h^FE

VCE=4V,IC=100mA

90

500

0.5

Collector-emitter saturation voltage

Gain bandwidth product

V^CE(sat)IC=200mA,IB=10mA

f^TVCE=6V,IE=-10mA

0.15

150

V

MHz

hFE Classification

Marking

hFE

TD

TE

TF

250 500

90 180

150 300

1

www.kexin.com.cn

1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC5211-13-1D	MITSUBISHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC	获取价格
2SC5211-13-1E	MITSUBISHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC	获取价格
2SC5211D	ISAHAYA	Transistor	获取价格
2SC5211E	ISAHAYA	Transistor	获取价格
2SC5211F	ISAHAYA	Transistor	获取价格
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