2SC4995

更新时间： 2024-01-10 07:24:32

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日立 - HITACHI		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
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10页	68K
描述
Silicon NPN Epitaxial

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2SC4995 技术参数

生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.68	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
基于收集器的最大容量：	1.05 pF	集电极-发射极最大电压：	8 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	11000 MHz
Base Number Matches：	1

2SC4995 数据手册

2SC4995

S11 Parameter vs. Frequency

S21 Parameter vs. Frequency

Scale: 5 / div.

90°

1.5

60°

120°

30°

150°

.4 .6 .8 1.0 1.5 2 3 4 5 10

180°

0°

–10

–5

–4

–.2

–30°

–150°

–3

–.4

–2

–60°

–120°

–.6

–1.5

–.8

–90°

–1

Ω

Condition: V = 5 V , Zo = 50

200 to 2000 MHz (200 MHz step)

(I = 5 mA)

200 to 2000 MHz (200 MHz step)

(I = 5 mA)

(I = 20 mA)

S12 Parameter vs. Frequency

S22 Parameter vs. Frequency

Scale: 0.04 / div.

90°

1.5

60°

120°

30°

150°

.4 .6 .8 1.0 1.5 2 3 4 5 10

180°

0°

–10

–5

–4

–.2

–30°

–150°

–3

–.4

–2

–60°

–120°

–.6

–1.5

–.8

–90°

–1

Ω

Condition: V = 5 V , Zo = 50

200 to 2000 MHz (200 MHz step)

(I = 5 mA)

200 to 2000 MHz (200 MHz step)

(I = 5 mA)

(I = 20 mA)

1 2 3 456 7 8...10

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