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2SC4269-2

更新时间: 2024-01-11 20:23:04
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安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
4页 43K
描述
TRANSISTOR,BJT,NPN,50MA I(C),SOT-23VAR

2SC4269-2 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.61最大集电极电流 (IC):0.05 A
配置:Single最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.25 W
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
Base Number Matches:1

2SC4269-2 数据手册

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2SC4269  
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Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
0.6  
max  
Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Power Gain  
f
V
V
V
V
V
=10V, I =10mA  
1.2  
GHz  
pF  
T
CE  
C
C
=10V, f=1MHz  
0.75  
0.5  
1.1  
ob  
CB  
CB  
CE  
CE  
C
=10V, f=1MHz  
pF  
re  
PG  
NF  
=10V, I =10mA, f=0.4GHz  
C
=10V, I =3mA, f=0.4GHz  
C
15  
dB  
Noise Figure  
2.0  
dB  
PG, NF Test Circuit  
3
1
V
V
CC  
B
f=400MHz  
CH  
L2  
2k  
C1  
C2  
C3  
C4  
C5  
L1  
L2  
L3  
to 20pF  
to 10pF  
to 10pF  
to 20pF  
to 30pF  
INPUT  
C1  
L3  
L1  
OUTPUT  
2φ, l=40mm 2/3t  
2φ, l=40mm 2/3t  
1φ, l=40mm 1/2t  
C2  
C3  
C4  
C5  
2
h
FE  
-- I  
f
-- I  
C
C
T
3
2
5
V
CE  
=10V  
V
CE  
=10V  
3
2
100  
1.0  
7
5
7
5
3
2
3
2
10  
0.1  
7
5
7
5
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
100  
2
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
100  
1.0  
10  
1.0  
10  
Collector Current, I mA  
Collector Current, I mA  
C
ITR06577  
ITR06578  
C
PG -- I  
C
Cob, Cre -- V  
CB  
20  
16  
12  
8
3
2
f=1MHz  
f=0.4GHz  
V
CE  
=10V  
1.0  
7
5
3
2
4
0
0.1  
7
5
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
1.0  
10  
100  
ITR06579  
1.0  
10  
C
100  
Collector Current, I mA  
Collector-to-Base Voltage, V  
-- V  
ITR06580  
CB  
No.2969–2/4  

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