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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.82 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 200 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 7 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SC3955E | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
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| 2SC3955F | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
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| 2SC3956 | SANYO | High-Definition CRT Display Video Output Applications |
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| 2SC3956C | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-126 |
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| 2SC3956D | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-126 |
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| 2SC3956E | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-126 |
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