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2SC3947_15

更新时间： 2022-02-26 13:29:22

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3页	155K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3947_15 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3947

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

V_CEsat

V_BEsat

I_CBO

PARAMETER

Collector-emitter breakdown voltage

Collector-base breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

CONDITIONS

MIN

500

850

TYP.

MAX

UNIT

I_C=10mA ;R_BE=∞

I_C=1mA ;I_E=0

I_E=1mA ;I_C=0

I_C=2.5A ;I_B=0.5A

1.0

1.5

_CE=800V; I_E=0

T_C=100℃

0.1

1.0

I_EBO

Emitter cut-off current

V_EB=6V ;I_C=0

0.1

h_FE

DC current gain

I_C=2.5A ; V_CE=5V

f_T

Transition frequency

I_C=0.5A ; V_CE=10V

I_E=0 ; V_CB=10V;f=1MHz

MHz

C_OB

Output capacitance

Switching times

t_r

t_stg

t_f

Rise time

0.5

3.0

0.3

μs

I_C=2.5A ; V_CC=250V

I_B1=0.5A; I_B2=-1A

Storage time

Fall time

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