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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SIP |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.35 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 300 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 160 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 7 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3790D | ONSEMI |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,300V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-126 |
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| 2SC3790-D | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy |
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| 2SC3790E | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
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| 2SC3790F | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,300V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-126 |
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| 2SC3792 | SANYO |
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High-hFE, Low-Frequency General-Purpose Amp A |
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| 2SC3792-AA | ONSEMI |
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500mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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| 2SC3792-AB | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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| 2SC3792-AQ | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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| 2SC3793 | HITACHI |
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Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SC3793IP | HITACHI |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN |
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