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2SC2715

更新时间： 2024-01-17 09:27:28
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 908K
描述
NPN Plastic-Encapsulate Transistor

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2SC2715 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-59
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.73
最大集电极电流 (IC)：0.05 A基于收集器的最大容量：3.2 pF
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
VCEsat-Max：0.4 VBase Number Matches：1

2SC2715 数据手册

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2SC2715  
0.05A , 35V  
NPN Plastic-Encapsulate Transistor  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
SOT-23  
FEATURES  
High Power Gain  
Recommended for FM IF,OSC Stage and AM CONV.  
IF Stage.  
A
L
3
3
Top View  
C B  
1
1
2
CLASSIFICATION OF hFE  
2
K
F
E
Product-Rank 2SC2715-R  
2SC2715-O  
70~140  
RO1  
2SC2715-Y  
120~240  
RY1  
D
Range  
40~80  
RR1  
H
J
G
Marking  
Millimeter  
Millimeter  
REF.  
REF.  
Min.  
Max.  
3.04  
2.55  
1.40  
1.15  
2.04  
0.50  
Min.  
Max.  
PACKAGE INFORMATION  
A
B
C
D
E
F
2.80  
2.10  
1.20  
0.89  
1.78  
0.30  
G
H
J
K
L
0.09  
0.45  
0.08  
0.18  
0.60  
0.177  
Package  
MPQ  
LeaderSize  
7’ inch  
0.6 REF.  
SOT-23  
3K  
0.89  
1.02  
Collector  
  
  
Base  
  
Emitter  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Collector to Base Voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
35  
V
V
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
30  
4
50  
V
Collector Current - Continuous  
Collector Power Dissipation  
Junction, Storage Temperature  
mA  
mW  
°C  
PC  
350  
TJ, TSTG  
150, -55~150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ. Max.  
Unit  
Test Condition  
Collector to Base Breakdown Voltage  
Collector to Emitter Breakdown Voltage  
Emitter to Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
35  
30  
4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
IC=10μA, IE=0  
IC=1mA, IB=0  
-
V
IE=10μA, IC=0  
VCB=35V, IE=0  
VEB=4V, IC=0  
-
0.1  
0.1  
240  
0.4  
1
μA  
μA  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
-
DC Current Gain  
hFE  
40  
-
VCE=12V, IC=2mA  
IC=10mA, IB=1mA  
IC=10mA, IB=1mA  
Collector to Emitter Saturation Voltage  
Base to Emitter Saturation Voltage  
Transition Frequency  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
V
V
-
100  
27  
400  
33  
MHz VCE=10V, IC=1mA  
dB VCE=6V, IC=1mA, f=10.7MHz  
Power Gain  
Gpe  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
14-Mar-2011 Rev. A  
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1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC2715_07 TOSHIBA

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 		Silicon NPN Epitaxial Planar Type (PCT process)
2SC2715M CJ

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 		TRANSISTOR
2SC2715MR CJ

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 		Transistor
2SC2715MY CJ

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 		Transistor
2SC2715O ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SC-59
2SC2715-O TOSHIBA

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 		暂无描述
2SC2715OTE85L TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 50 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Smal
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