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2SA684G-Q-T9N-B

更新时间： 2024-02-16 10:01:21

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友顺 - UTC		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	257K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92NL, 3 PIN

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技术参数
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2SA684G-Q-T9N-B 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.62
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	85	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

2SA684G-Q-T9N-B 数据手册

2SA684

PNP SILICON TRANSISTOR

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃,unless otherwise specified )

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

RATINGS

-60

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Collector Current

Collector Current (DC)

-50

-5

-1.5

I_C

-1

SOT-89

500

℃

Collector Dissipation

P_C

TO-92NL

1000

+150

-55 ~ +150

Junction Temperature

Storage Temperature

T_J

T_STG

℃

Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.

Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃, unless otherwise specified)

PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS

MIN TYP MAX UNIT

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-Off Current

BV_CBOI_C=-10μA, I_E=0

BV_CEOI_C=-2mA, I_B=0

BV_EBOI_E=-10μA, I_C=0

-60

-50

-5

I_CBO

h_FE1

h_FE2

V_CB=-20V, I_E=0

-0.1

340

μA

V_CE=-10V, I_C=-500mA

V_CE=-5V, I_C=-1A

DC Current Gain

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

Current Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

V_CE(SAT)I_C=-0.5A, I_B=-50mA

V_BE(SAT)I_C=-0.5A, I_B=-50mA

-0.2

-0.4

-0.85 -1.2

200

f_T

V_CE=-10V, I_B=50mA, f=200MHz

V_CB=-10V, I_E=0, f=1MHz

MHz

C_ob

CLASSIFICATION OF h_FE1

RANK

120-240

RANGE

85-170

170-340

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

2 of 5

QW-R211-006.C

www.unisonic.com.tw

123 4 5

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与2SA684G-Q-T9N-B相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA684G-R-AB3-R	UTC	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN F	获取价格
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2SA684G-X-AB3-R	UTC	PNP SILICON TRANSISTOR	获取价格
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2SA684L-Q-AB3-R	UTC	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, LEAD FREE	获取价格