2SA673AK

更新时间： 2024-02-16 04:11:01

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瑞萨 - RENESAS		晶体小信号双极晶体管
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6页	104K
描述
Silicon PNP Epitaxial

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2SA673AK 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.36	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	35 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SA673AK 数据手册

2SA673A(K)

Preliminary

Electrical Characteristics

(Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Min

–50

–4

—

Typ

—

Max

—

Unit

Test conditions

I_C= –10 µA, I_E= 0

Collector to base breakdown voltage

Collector to emitter breakdown voltage

Emitter to base breakdown voltage

Collector cutoff current

—

I_C= –1 mA, R_BE= ∞

—

I_E= –10 μA, I_C= 0

—

–0.5

—

μA

V_CE= –20 V, I_E= 0

Emitter cutoff current

I_EBO

—

V_EB= –3 V, I_C= 0

Base to emitter voltage

V_BE

—

–0.64

–0.2

–0.87

—

V_CE= –3 V, I_C= –10 mA

I_C= –150 mA, I_B= –15 mA*²

V_CE= –3 V, I_C= –10 mA

V_CE= –3 V, I_C= –500 mA*²

Collector to emitter saturation voltage

Base to emitter saturation voltage

DC current transfer ratio

V_CE(sat)

—

–0.6

—

V_BE(sat)

—

h_FE

—

320

—

h_FE

f_T

—

Gain bandwidth product

Turn on time

120

0.3

0.6

0.4

—

MHz V_CE= –3 V, I_C= –10 mA

t_on

t_off

t_stg

—

μs

V_CC= –10.3 V

Turn off time

—

I_C= 10 I_B1= –10 I_B2= –10 mA

Storage time

—

V_CC= –5 V,

I_C= I_B1= I_B2= –20 mA

Notes: 1. The 2SA673A(K) is grouped by h_FEas follows.

2. Pulse test

60 to 120

100 to 200

160 to 320

R07DS0430EJ0400 Rev.4.00

Jun 07, 2011

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