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2SA673A(K)C

更新时间： 2024-02-24 20:32:56

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日立 - HITACHI		/
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8页	34K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, TO-92

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2SA673A(K)C 技术参数

生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.36
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
Base Number Matches：	1

2SA673A(K)C 数据手册

2SA673A(K)

Collector to Emitter Saturation

Voltage vs. Collector Current

Maximum Collector Dissipation Curve

–0.7

–0.6

–0.5

–0.4

–0.3

–0.2

–0.1

600

400

200

I_C= 10 I_B

–0.1 –0.2 –0.5 –1.0 –2

–5 –10 –20 –50 –100 –200 –500

100

150

Collector Current I_C(mA)

Ambient Temperature Ta (°C)

Input and Output Capacitance

vs. voltage

Base to Emitter Saturation Voltage vs.

Collector Current

–1.1

–1.0

–0.9

–0.8

–0.7

–0.6

–0.5

–0.4

f = 1 MHz

I_C= 10 I_B

C_ib(I_C= 0)

C_ob(I_E= 0)

–0.1

–0.3

–1.0

–3

–10

–30

–0.1 –0.2 –0.5 –1.0 –2

–5 –10 –20 –50 –100 –200 –500

Collector to Base Voltage V_CB(V)

Emitter to Base Voltage V_EB(V)

Collector Current I_C(mA)

1 2 3 456 7 8

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与2SA673A(K)C相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA673A(K)D	RENESAS	500mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92, 3 PIN	获取价格
2SA673A(K)DRF	HITACHI	暂无描述	获取价格
2SA673A(K)RF	RENESAS	500mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92	获取价格
2SA673A(K)RR	HITACHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	获取价格
2SA673A(K)RR	RENESAS	500mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92	获取价格
2SA673A(K)TZ	HITACHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	获取价格