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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.32 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 基于收集器的最大容量： | 1.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 15 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 1200 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1778-3 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-236AB |
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| 2SA1778-4 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-236AB |
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| 2SA1779 | RENESAS |
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100mA, 35V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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| 2SA1779RF | RENESAS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
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| 2SA1779RR | RENESAS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
|
| 2SA1779TZ | RENESAS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
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| 2SA1780 | ROHM |
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TRANSISTORS TO 92L TO-92LS MRT |
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| 2SA1780/NP | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
|
| 2SA1780/NQ | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
|
| 2SA1780/P | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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