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2SA1081

更新时间： 2024-01-21 19:08:59

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SECOS		晶体晶体管放大器
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1页	83K
描述
PNP Plastic Encapsulated Transistor

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2SA1081 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.45	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	90 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	250	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SA1081 数据手册

2SA1081

-0.1 A, -90 V

PNP Plastic Encapsulated Transistor

Elektronische Bauelemente

RoHS Compliant Product

A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free

FEATURES

TO-92



Low Frequency Amplifier

Emitter

Collector

Base

CLASSIFICATION OF h_FE

Product-Rank

2SA1081-D

2SA1081-E

400~800

Range

250~500

Millimeter

REF.

Min.

4.40

4.30

12.70

3.30

0.36

Max.

4.70

3.81

0.56

0.51

1.27 TYP.

1.10

2.42

0.36

2.66

0.76

Collector





Base



Emitter

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector to Base Voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

-90

-5

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current - Continuous

Collector Power Dissipation

-0.1

400

312

P_C

Thermal Resistance From Junction to Ambient

Junction, Storage Temperature

R_θJA

T_J, T_STG

°C / W

°C

150, -55~150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Test condition

Collector to Base Breakdown Voltage

Collector to Emitter Breakdown Voltage

Emitter to Base Breakdown Voltage

Collector Cut-Off Current

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-90

I_C= -0.01mA, I_E=0

-90

I_C= -1mA, I_B=0

-5

I_E= -0.01mA, I_C=0

V_CB= -50 V, I_E=0

-0.1

800

-0.2

μA

Emitter Cut-Off Current

I_EBO

V_EB= -2 V, I_C=0

DC Current Gain

h_FE

250

V_CE= -12V, I_C= -2mA

I_C= -10mA, I_B= -1mA

V_CE= -12V, I_C= -2mA

Collector to Emitter Saturation Voltage

Base to Emitter Voltage

V_CE(sat)

V_BE

-0.6

3.5

Transition Frequency

f_T

MHz V_CE= -12V, I_C= -2mA

pF V_CB= -10V, I_E=0, f=1MHz

Collector Output Capacitance

C_ob

http://www.SeCoSGmbH.com/

Any changes of specification will not be informed individually.

13-Jan-2011 Rev. A

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与2SA1081相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1081D	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 90V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-92	获取价格
2SA1081-D	RENESAS	SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92	获取价格
2SA1081-D	HITACHI	SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92	获取价格
2SA1081DRF	RENESAS	100 mA, 90 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92(1), 3 PIN	获取价格
2SA1081DRR	RENESAS	100mA, 90V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92(1), 3 PIN	获取价格
2SA1081E	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 90V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-92	获取价格