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2SA1069M

更新时间: 2024-01-30 08:36:48
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 137K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220AB

2SA1069M 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.84
最大集电极电流 (IC):5 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):40最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):30 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO

2SA1069M 数据手册

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2SA1069, 1069A  
PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)  
1. Base  
2. Collector  
3. Emitter  
4. Fin (collector)  
5
Data Sheet D14855EJ3V0DS  

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