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2SA1069A-M-AZ

更新时间： 2024-02-04 08:05:09

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瑞萨 - RENESAS		/
页数	文件大小	规格书
6页	136K
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5A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, MP-25, 3 PIN

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2SA1069A-M-AZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	MP-25, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.2	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SA1069A-M-AZ 数据手册

DATA SHEET

SILICON POWER TRANSISTORS

2SA1069, 1069A

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FOR HIGH-SPEED SWITCHING

PS9@SDIBꢀꢀDIAPSH6UDPI

The 2SA1069/1069A are the mold power transistors developed for

high-speed switching, and is ideal for use as a driver in devices such

as switching regulators, DC/DC converters, and high-frequency power

amplifiers.

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(TO-220AB)

• Low collector saturation voltage

• Fast switching speed

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confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D14855EJ3V0DS00 (3rd edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1069AM-S-AZ	RENESAS	TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,5A I(C),TO-220AB	获取价格
2SA1069AM-Z	RENESAS	2SA1069AM-Z	获取价格
2SA1069AM-Z-E2-AZ	RENESAS	TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,5A I(C),TO-263ABVAR	获取价格
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