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2SA1036KT146PR

更新时间： 2024-01-15 10:54:15

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罗姆 - ROHM		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管 PC
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4页	78K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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2SA1036KT146PR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-59
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	1.01
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	32 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e1
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
VCEsat-Max：	0.4 V	Base Number Matches：	1

2SA1036KT146PR 数据手册

2SA1036K

Transistors

Medium Power Transistor

2SA1036K

zExternal dimensions (Unit : mm)

zFeatures

1) Large I_C.

I_CMAX.= -500mA

2) Low V_CE(sat).Ideal for low-voltage

operation.

2SA1036K

2.9 0.2

1.9 0.2

+0.2

1.1

0.1

0.8 0.1

0.95 0.95

3) Complements the 2SC2411K.

(2)

(1)

0~0.1

(3)

zStructure

+0.1

0.15

Epitaxial planer type

PNP silicon transistor

+0.1

0.06

0.4

0.05

All terminals have

same dimensions

(1) Emitter

(2) Base

(3) Collector

ROHM : SMT3

EIAJ : SC-59

Abbreviated symbol : H ∗

∗ Denotes hFE

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Limits

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

−40

−32

−5

∗

−0.5

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

0.2

°C

150

Tstg

−55 to +150

∗

C MAX. must not be exceeded.

Rev.A

1/3

12 3 4

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