2SA1029TZ

更新时间： 2024-01-10 16:18:26

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瑞萨 - RENESAS		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	161K
描述
100mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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技术参数
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2SA1029TZ 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.43	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SA1029TZ 数据手册

2SA1029, 2SA1030

Silicon PNP Epitaxial

REJ03G0633-0300

(Previous ADE-208-1004A)

Rev.3.00

Aug.10.2005

Application

•

Low frequency amplifier

Complementary pair with 2SC458 and 2SC2308

Outline

RENESAS Package code: PRSS0003DA-A

(Package name: TO-92 (1))

1. Emitter

2. Collector

3. Base

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

2SA1029

–30

2SA1030

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

–55

–50

–30

–5

–100

100

–100

100

°C

Emitter current

I_E

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

300

150

Tstg

–55 to +150

Rev.3.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA103	ETC	Ge PNP Drift	获取价格
2SA1030	HITACHI	Silicon PNP Epitaxial	获取价格
2SA1030	RENESAS	Silicon PNP Epitaxial	获取价格
2SA1030B	HITACHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), PNP, TO-92	获取价格
2SA1030-B	RENESAS	暂无描述	获取价格
2SA1030-B	HITACHI	SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92	获取价格