2SA1025

更新时间： 2024-02-10 04:41:10

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		晶体小信号双极晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
5页	27K
描述
Silicon PNP Epitaxial

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SA1025 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.46	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	250	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SA1025 数据手册

2SA1025, 2SA1081, 2SA1082

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

2SA1025

–60

2SA1081

–90

2SA1082

–120

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

–60

–90

–120

–5

–100

100

–100

100

–100

°C

Emitter current

I_E

100

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

400

150

Tstg

–55 to +150

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

2SA1025

2SA1081

2SA1082

Item

Symbol Min Typ Max Min Typ Max Min Typ Max Unit Test conditions

Collector to base

V_(BR)CBO–60

V_(BR)CEO–60

V_(BR)EBO–5

—

–90

–5

—

–120 —

—

I_C= –10 µA, I_E= 0

breakdown voltage

Collector to emitter

breakdown voltage

–120 —

I_C= –1 mA,

R_BE= ∞

Emitter to base

–5

—

µA

I_E= –10 µA, I_C= 0

breakdown voltage

Collector cutoff current I_CBO

Emitter cutoff current I_EBO

DC current transfer ratio h_FE

—

–0.1

—

–0.1

800

—

–0.1 µA

–0.1

V_CB= –50 V, I_E= 0

V_EB= –2 V, I_C= 0

—

250

800 250

250

800

V_CE= –12 V,

I_C= –2 mA

Collector to emitter

saturation voltage

V_CE(sat)

—

–0.2

—

–0.2

—

–0.2

—

I_C= –10 mA,

I_B= –1 mA

Base to emitter voltage V_BE

–0.6

V_CE= –12 V,

I_C= –2 mA

Gain bandwidth product f_T

—

MHz V_CE= –12 V,

I_C= –2 mA

Collector output

capacitance

Cob

3.5

—

3.5

—

3.5

—

V_CB= –10 V, I_E= 0,

f = 1 MHz

Note: 1. The 2SA1025, 2SA1081 and 2SA1082 are grouped by h_FEas follows.

250 to 500

400 to 800

See characteristic curves of 2SA1083.

123 4 5

下载PDF

与2SA1025相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1025D	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-92	获取价格
2SA1025-D	RENESAS	SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92	获取价格
2SA1025-D	HITACHI	SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92	获取价格
2SA1025DRF	RENESAS	100mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92(1), 3 PIN	获取价格
2SA1025DRF	HITACHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,	获取价格
2SA1025DRR	HITACHI	暂无描述	获取价格