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2SA1015OTPE1

更新时间： 2024-02-11 20:54:34
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 184K
描述
TRANSISTOR 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Small Signal

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2SA1015OTPE1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Lifetime Buy包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.22
最大集电极电流 (IC)：0.15 A基于收集器的最大容量：7 pF
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：80 MHzVCEsat-Max：0.3 V
Base Number Matches：1

2SA1015OTPE1 数据手册

 浏览型号2SA1015OTPE1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA1015OTPE1的Datasheet PDF文件第3页 
2SA1015  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)  
2SA1015  
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications  
Unit: mm  
Driver Stage Amplifier Applications  
•
•
High voltage and high current: V  
= −50 V (min),  
= −150 mA (max)  
CEO  
I
C
Excellent h  
linearity: h  
: h  
= 80 (typ.) at V  
= −6 V, I = −150 mA  
CE C  
FE  
FE (2)  
(I = −0.1 mA)/h  
C
(I = −2 mA) = 0.95 (typ.)  
C
FE  
FE  
•
•
Low noise: NF = 1dB (typ.) (f = 1 kHz)  
Complementary to 2SC1815.  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
−50  
−50  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
−5  
V
I
−150  
−50  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Base current  
I
B
JEDEC  
JEITA  
TO-92  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
400  
C
SC-43  
T
j
125  
TOSHIBA  
2-5F1B  
T
stg  
−55~125  
Weight: 0.21 g (typ.)  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to  
decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
= −50 V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
I
V
V
⎯
⎯
⎯
⎯
−0.1  
−0.1  
μA  
μA  
CBO  
CB  
EB  
E
I
= −5 V, I = 0  
C
EBO  
h
FE (1)  
(Note)  
V
V
= −6 V, I = −2 mA  
70  
⎯
400  
CE  
C
DC current gain  
h
= −6 V, I = −150 mA  
25  
⎯
⎯
80  
⎯
⎯
80  
−0.1  
⎯
⎯
−0.3  
−1.1  
⎯
FE (2)  
CE  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
V
V
I
I
= −100 mA, I = −10 mA  
V
V
CE (sat)  
BE (sat)  
C
C
B
= −100 mA, I = −10 mA  
B
f
V
V
V
V
= −10 V, I = −1 mA  
⎯
MHz  
pF  
Ω
T
CE  
CB  
CE  
CE  
C
Collector output capacitance  
Base intrinsic resistance  
C
= −10 V, I = 0, f = 1 MHz  
4
7
ob  
bb’  
E
r
= −10 V, I = 1 mA, f = 30 MHz  
30  
⎯
E
= −6 V, I = −0.1 mA, R = 10 kΩ,  
C
G
Noise figure  
NF  
⎯
1.0  
10  
dB  
f = 1 kHz  
Note: h  
classification O: 70~140, Y: 120~240, GR: 200~400  
FE (1)  
1
2007-11-01  
123

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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