2S2M-YA

更新时间： 2024-01-30 02:26:32

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日电电子 - NEC		栅极开关局域网
页数	文件大小	规格书
6页	190K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-202, PLASTIC PACKAGE-2

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2S2M-YA 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.72
其他特性：	HIGH SPEED	外壳连接：	ANODE
标称电路换相断开时间：	15 µs	配置：	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：	10 V/us	最大直流栅极触发电流：	0.3 mA
最大直流栅极触发电压：	0.8 V	最大维持电流：	10 mA
JEDEC-95代码：	TO-202	JESD-30 代码：	R-PSFM-T2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	110 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	4 A	重复峰值关态漏电流最大值：	100 µA
断态重复峰值电压：	200 V	重复峰值反向电压：	200 V
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

2S2M-YA 数据手册

2S2M, 2S4M

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T^j= 25°C, R^GK= 1 kΩ)

Parameter

Symbol

Conditions

Specifications

Unit

Remarks

MIN.

TYP.

MAX.

T^j= 25°C

µA

−

Repeat peak off-state

current

I^DRM

V^DM= V^DRM

T^j= 125°C

T^j= 25°C

T^j= 125°C

−

200

µA

−

Repetitive peak reverse

current

I^RRM

V^RM= V^RRM

200

2.2

0.8

300

−

Refer to Figure 1.

−

On voltage

V^TM

V^GT

I^GT

Refer to Figure 9.

T^j= 25°C, I^TM= 4 A

V^DM= 6 V, R^L= 100 Ω

µA

Gate trigger voltage

Gate trigger current

Gate non-trigger voltage

Refer to Figure 8.

V^DM= 6 V, R^L= 100 Ω

T^j= 125°C, V^DM= ₂¹V^DRM

−

V^GD

d^V/dt

0.2

T^j= 125°C, V^DM= ₃²V^DRM

−

V/µs

Critical rate of-rise of off-

state voltage

T^j= 25°C, V^D= 24 V

−

Holding current

I^H

µs

Commutating turn-off time

T^q

T^j= 125°C, I^T= 2 A

V^DM= ₃²V^DRM, V^R= 50 V

d^V/dt = 10 V/µs

T^j= 125°C, V^DM= ₃²V^DRM

−

µs

−

Turn-on time

T^gt

I^TM= 30 A

I^G= 5 mA, t^1G= 5 µs

−

°C/W

Thermal resistance

R^th(j-c)

Junction-to-case DC

Refer to Figure 13.

Rth(j-a)

Junction-to-ambient DC

TYPICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)

Data Sheet D13535EJ2V0DS

123 4 5 6

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