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2N7012

更新时间： 2024-01-07 10:36:53

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	220K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 1.3A I(D) \| TO-250VAR

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2N7012 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	,
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.91	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.3 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

2N7012 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N7013	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 40V V(BR)DSS \| 1.3A I(D) \| TO-250VAR	获取价格
2N7016	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 700MA I(D) \| TO-250VAR	获取价格
2N702	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 25V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-18	获取价格
2N703	CENTRAL	Small Signal Transistors	获取价格
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