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2N7008/D

更新时间： 2024-02-06 11:56:07

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其他 - ETC		晶体小信号场效应晶体管
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描述
SMALL SIGNAL FIELD EFFECT TRANSISTOR

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2N7008/D 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	T226-3	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.92	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.15 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

2N7008/D 数据手册

2N7008

Small−Signal Field Effect

Transistor

N−Channel Enhancement Mode Silicon

Gate TMOS

http://onsemi.com

…are designed for high voltage, high speed applications such as

switching regulators, converters, solenoid, and relay drivers.

• Silicon Gate for Fast Switching Speeds

• Relay Driver

N−CHANNEL SMALL SIGNAL

TMOS FET, R_DS(ON)= 7.5 W, 60 V

• Telecommunication Switch

• Automatic Insertable

• Available in Ammo Pack

• Available on Radial Tape and Reel

• N−Channel, Small Signal, TMOS FET

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol Value

Unit

Vdc

Drain−to−Source Voltage

DSS

DGR

MARKING

DIAGRAM

Drain−to−Gate Voltage (R = 1 mW)

Vdc

Gate−to−Source Voltage

Vdc

Drain Current

Continuous

Pulsed

mAdc

150

1000

Total Power Dissipation @ T = 25°C

400

3.2

mW/°C

Derate above 25°C

TO−92 (TO−226)

CASE 29

Operating and Storage temperature Range

T , T

−5.5 to

+150

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTIC

Thermal Resistance Junction−to−Ambient

312.5

300

°C/W

°C

Maximum Lead Temperature for Soldering

Purposes, 1/16 in from Case for 10 Seconds

Semiconductor Components Industries, LLC, 2003

Publication Order Number:

October, 2003 − Rev. 0

2N7008/D

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2N7008-G	SUPERTEX	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs	获取价格
2N7008-GP002	SUPERTEX	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs	获取价格
2N7008-GP003	SUPERTEX	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs	获取价格
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