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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2N6718L-A-AB3-K
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2N6718L-A-AB3-K

更新时间： 2024-02-03 20:25:49
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4页 100K
描述
NPN GENERAL PLANAR TRANSISTOR

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2N6718L-A-AB3-K 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.63Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PSSO-F3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

2N6718L-A-AB3-K 数据手册

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2N6718  
NPN SILICON TRANSISTOR  
ꢀ
TYPICAL CHARACTERISTICS  
Power Derating  
2000  
1500  
1000  
TO-126C  
TO-92  
SOT-89  
500  
0
0
50  
100  
150  
200  
Ambient Temperature, Ta(℃)  
UTC assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or  
other parameters) listed in products specifications of any and all UTC products described or contained  
herein. UTC products are not designed for use in life support appliances, devices or systems where  
malfunction of these products can be reasonably expected to result in personal injury. Reproduction in  
whole or in part is prohibited without the prior written consent of the copyright owner. The information  
presented in this document does not form part of any quotation or contract, is believed to be accurate  
and reliable and may be changed without notice.  
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
4 of 4  
QW-R201-056,B  
www.unisonic.com.tw  
1234

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