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2N5811

更新时间: 2024-02-01 11:55:38
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MICRO-ELECTRONICS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 167K
描述
COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR

2N5811 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-92
包装说明:TO-92-18R, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.4
集电极-发射极最大电压:25 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):60JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:MATTE TIN (315)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

2N5811 数据手册

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