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| 生命周期： | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.4 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.75 A | 集电极-发射极最大电压： | 25 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 150 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 135 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 135 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N5812LEADFREE | CENTRAL | 暂无描述 |
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| 2N5813 | MICRO-ELECTRONICS | COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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| 2N5813 | CENTRAL | Small Signal Transistors |
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| 2N5813LEADFREE | CENTRAL | 暂无描述 |
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| 2N5814 | MICRO-ELECTRONICS | COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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| 2N5814 | NJSEMI | Trans GP BJT NPN 40V 0.75A 3-Pin TO-92 Box |
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