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2N5610

更新时间： 2024-01-31 23:13:53

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页数	文件大小	规格书
3页	52K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N5610 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-66
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.3	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JEDEC-95代码：	TO-213AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	70 MHz
Base Number Matches：	1

2N5610 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors 2N5606 2N5608 2N5610 2N5612

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

2N5606

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

Collector-emitter

sustaining voltage

V_CEO

I_C=50mA ;I_B=0

2N5608/5610

2N5612

100

V_CEsat

V_BE

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter on voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

I_C=1A; I_B=0.1A

0.5

1.5

0.1

1.0

0.1

200

I_C=2.5A ; V_CE=5V

V_CB=Rated V_CBO; I_E=0

V_CE= Rated V_CEO,I_B=0

V_EB=5V; I_C=0

I_CBO

I_CEO

I_EBO

2N5606/5610

DC current gain

h_FE

I_C=2.5A ; V_CE=5V

I_C=0.5A ; V_CE=10V

2N5608/5612

2N5606/5610

Transition frequency

f_T

MHz

2N5608/5612

JMnic

123

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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