2N5433E

更新时间： 2024-02-13 10:42:58

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威世 - VISHAY		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
6页	74K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-206AC

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2N5433E 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	其他特性：	LOW INSERTION LOSS
外壳连接：	GATE	配置：	SINGLE
最大漏源导通电阻：	7 Ω	FET 技术：	JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：	15 pF	JEDEC-95代码：	TO-206AC
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N5433E 数据手册

2N5432/5433/5434

Vishay Siliconix

TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED)

On-Resistance vs. Drain Current

On-Resistance vs. Temperature

I_D= 10 mA

r_DSchanges X 0.7%/_C

= 25_C

V_GS(off)= –2 V

= –2 V

GS(off)

–4 V

–8 V

100

–55 –35 –15

85 105 125

– Drain Current (mA)

– Temperature (_C)

Gate Leakage Current

Capacitance vs. Gate-Source Voltage

100 nA

100

= 125_C

V_DS= 0 V

f = 1 MHz

I_D= 10 mA

10 nA

1 nA

5 mA

1 mA

I_GSS@ 125_C

100 pA

10 pA

1 pA

5 mA

1 mA

iss

= 25_C

rss

10 mA

I_GSS@ 25_C

–4

–8

–12

–16

–20

V_GS– Gate-Source Voltage (V)

_DG– Drain-Gate Voltage (V)

Noise Voltage vs. Frequency

Transconductance vs. Drain Current

100

V_GS(off)= –4 V

V_DS= 5 V

= –55_C

25_C

125_C

I_D= 10 mA

V_DS= 5 V

f = 1 kHz

I_D= 40 mA

100

1 k

10 k

100 k

100

f – Frequency (Hz)

– Drain Current (mA)

Document Number: 70245

S-04028—Rev. F, 04-Jun-01

www.vishay.com

7-4

1 2 345 6

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