2N5433

更新时间： 2024-01-05 20:30:34

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威世 - VISHAY		晶体晶体管开关
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5页	45K
描述
N-Channel JFETs

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2N5433 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	其他特性：	LOW INSERTION LOSS
外壳连接：	GATE	配置：	SINGLE
最大漏源导通电阻：	7 Ω	FET 技术：	JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：	15 pF	JEDEC-95代码：	TO-206AC
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N5433 数据手册

2N5432/5433/5434

Vishay Siliconix

TYPICAL CHARACTERISTICS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

On-Resistance and Drain Current

vs. Gate-Source Cutoff Voltage

Forward Transconductance and Output Conductance

vs. Gate-Source Cutoff Voltage

1000

200

r_DS@ I = 10 mA, V_GS= 0 V

and g @ V = 5 V

os DS

_GS= 0 V, f = 1 kHz

_DSS@ V_DS= 15 V, V_GS= 0 V

800

600

400

200

160

120

r_DS

I_DSS

–2

–4

–6

–8

–10

–2

–4

–6

–8

–10

V_GS(off)– Gate-Source Cutoff Voltage (V)

Output Characteristics

100

V_GS(off)= –2 V

V_GS(off)= –4 V

= 0 V

V_GS= 0 V

–0.5 V

–0.2 V

–0.4 V

–1.0 V

–1.5 V

–0.6 V

–0.8 V

–0.2 V

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

V_DS– Drain-Source Voltage (V)

Turn-On Switching

Turn-Off Switching

independent

d(off)

t approximately independent of I_D

of device V_GS(off)

V_DD= 1.5 V, V_GS(L)= –10 V

V_DD= 1.5 V, R = 50

ꢀ

_GS(L)= –10 V

V_GS(off)= –2 V

I_D= 25 mA

d(on)

I_D= 10 mA

V_GS(off)= –8 V

d(off)

–2

–4

–6

–8

–10

V_GS(off)– Gate-Source Cutoff Voltage (V)

I_D– Drain Current (mA)

Document Number: 70245

S-04028—Rev. F, 04-Jun-01

www.vishay.com

7-3

1 234 5

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