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2N5432-E3

更新时间： 2024-02-12 21:21:24

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威世 - VISHAY		/
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6页	70K
描述
Transistor

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2N5432-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	FET 技术：	JUNCTION
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

2N5432-E3 数据手册

2N5432/5433/5434

Vishay Siliconix

TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED)

On-Resistance vs. Drain Current

On-Resistance vs. Temperature

I_D= 10 mA

r_DSchanges X 0.7%/_C

= 25_C

V_GS(off)= –2 V

= –2 V

GS(off)

–4 V

–8 V

100

–55 –35 –15

85 105 125

– Drain Current (mA)

– Temperature (_C)

Gate Leakage Current

Capacitance vs. Gate-Source Voltage

100 nA

100

= 125_C

V_DS= 0 V

f = 1 MHz

I_D= 10 mA

10 nA

1 nA

5 mA

1 mA

I_GSS@ 125_C

100 pA

10 pA

1 pA

5 mA

1 mA

iss

= 25_C

rss

10 mA

I_GSS@ 25_C

–4

–8

–12

–16

–20

V_GS– Gate-Source Voltage (V)

_DG– Drain-Gate Voltage (V)

Noise Voltage vs. Frequency

Transconductance vs. Drain Current

100

V_GS(off)= –4 V

V_DS= 5 V

= –55_C

25_C

125_C

I_D= 10 mA

V_DS= 5 V

f = 1 kHz

I_D= 40 mA

100

1 k

10 k

100 k

100

f – Frequency (Hz)

– Drain Current (mA)

Document Number: 70245

S-04028—Rev. F, 04-Jun-01

www.vishay.com

7-4

1 2 345 6

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