2N4401

更新时间： 2024-02-13 12:10:31

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美微科 - MCC		晶体放大器小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	82K
描述
NPN General Purpose Amplifier

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2N4401 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.66	基于收集器的最大容量：	6.5 pF
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
最大关闭时间（toff）：	255 ns	VCEsat-Max：	0.75 V
Base Number Matches：	1

2N4401 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

21201 Itasca Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

2N4401

Features

Through Hole Package

Capable of 600mWatts of Power Dissipation

NPN General

Purpose Amplifier

Pin Configuration

Bottom View

TO-92

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_BL

Collector-Emitter Breakdown Voltage*

(I_C=1.0mAdc, I_B=0)

Vdc

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=10mAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=0.1mAdc, I_C=0)

6.0

Vdc

Base Cutoff Current

0.1

mAdc

(V_CE=35Vdc, V_BE=0.4Vdc)

Collector Cutoff Current

(V_CE=35Vdc, V_BE=0.4Vdc)

I_CEX

ON CHARACTERISTICS

h_FE

DC Current Gain*

(I_C=0.1mAdc, V_CE=1.0Vdc)

(I_C=1.0mAdc, V_CE=1.0Vdc)

(I_C=10mAdc, V_CE=1.0Vdc)

(I_C=150mAdc, V_CE=1.0Vdc)

(I_C=500mAdc, V_CE=1.0Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=150mAdc, I_B=15mAdc)

(I_C=500mAdc, I_B=50mAdc)

Base-Emitter Saturation Voltage

(I_C=150mAdc, I_B=15mAdc)

(I_C=500mAdc, I_B=50mAdc)

100

300

V_CE(sat)

0.4

0.75

Vdc

V_BE(sat)

0.75

250

0.95

1.2

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

f_T

Current Gain-Bandwidth Product

(I_C=20mAdc, V_CE=10Vdc, f=100MHz)

Collector-Base Capacitance

(V_CB=5.0Vdc, I_E=0, f=100kHz)

Emitter-Base Capacitance

MHz

DIMENSIONS

C_cb

C_eb

6.5

INCHES

MIN

.175

.500

.016

.135

.095

MIN

DIM

MAX

4.70

---

NOTE

.185

---

.020

.145

.105

4.45

4.46

12.7

0.41

3.43

2.42

(V_BE=0.5Vdc, I_C=0, f=100kHz)

30.0

SWITCHING CHARACTERISTICS

0.63

3.68

2.67

t_d

t_r

t_s

t_f

Delay Time

Rise Time

Storage Time

Fall Time

(V_CC=30Vdc, V_BE=0.2Vdc

I_C=150mAdc, I_B1=15mAdc)

(V_CC=30Vdc, I_C=150mAdc

I_B1=I_B2=15mAdc)

225

*Pulse Width £ 300ms, Duty Cycle£ 2.0%

www.mccsemi.com

12 3

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