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2N3903D26Z

更新时间： 2024-02-29 15:35:08
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 578K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

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2N3903D26Z 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.13
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
最大关闭时间（toff）：225 ns最大开启时间（吨）：70 ns
Base Number Matches：1

2N3903D26Z 数据手册

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NPN General Purpose Amplifier  
(continued)  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICEX  
Collector-Emitter Breakdown Voltage* IC = 1.0 mA, IB = 0  
40  
60  
V
V
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
IC = 10 µA, IE = 0  
6.0  
V
IE = 10 µA, IC = 0  
VCE = 30 V, VOB = 3.0 V  
VCE = 30 V, VOB = 3.0 V  
50  
50  
nA  
nA  
z
IBL  
Base Cutoff Current  
ON CHARACTERISTICS*  
hFE  
DC Current Gain  
VCE = 1.0 V, IC = 0.1 mA  
20  
35  
50  
30  
15  
VCE = 1.0 V, IC = 1.0 mA  
VCE = 1.0 V, IC = 10 mA  
VCE = 1.0 V, IC = 50 mA  
VCE = 1.0 V, IC = 100 mA  
IC = 10 mA, IB = 1.0 mA  
IC = 50 mA, IB = 5.0 mA  
IC = 10 mA, IB = 1.0 mA  
IC = 50 mA, IB = 5.0 mA  
150  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
0.2  
0.3  
0.85  
0.95  
V
V
V
V
VCE(  
)
sat  
0.65  
VBE(sat)  
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
Output Capacitance  
VCB = 5.0 V, f = 100 kHz  
VEB = 0.5 V, f = 100 kHz  
4.0  
8.0  
pF  
pF  
Cob  
Cib  
hfe  
Input Capacitance  
Small-Signal Current Gain  
IC = 10 mA, VCE = 20 V,  
f = 100 MHz  
2.5  
Small-Signal Current Gain  
Input Impedance  
VCE = 10 V, IC = 1.0 mA  
50  
1.0  
0.1  
1.0  
200  
8.0  
5.0  
40  
hfe  
f = 1.0 kHz  
kΩ  
h
ie  
hre  
x 10-4  
µmhos  
dB  
Voltage Feedback Ratio  
Output Admittance  
Noise Figure  
hoe  
NF  
6.0  
VCE = 5.0 V, IC = 100 µA,  
RS = 1.0 kΩ,  
BW = 10 Hz to 15.7 kHz  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
Delay Time  
Rise Time  
Storage Time  
Fall Time  
VCC = 3.0 V, IC = 10 mA,  
35  
35  
ns  
ns  
ns  
ns  
td  
tr  
IB1 = 1.0 mA , Vob ( off ) = 0.5 V  
VCC = 3.0 V, IC = 10 mA  
IB1 = IB2 = 1.0 mA  
175  
50  
ts  
tf  
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 2.0%  
1234567...11

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