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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.86 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 350 | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N3902 | SEME-LAB | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
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| 2N3902 | ASI | Power Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 |
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| 2N3902 | BOCA | HIGH VOLTAGE NPN SILICON TRANSISTORS |
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| 2N3902 | NJSEMI | SI NPN POWER BJT, I(C) = 2.5A TO 4.9A |
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| 2N3903 | ONSEMI | General Purpose Transistors(NPN Silicon) |
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| 2N3903 | SAMSUNG | npn epitaxial silicon transistor |
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