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2N3822

更新时间： 2024-01-22 04:34:55
品牌 Logo 应用领域
INTERFET 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 96K
描述
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor

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2N3822 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.67
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：50 V
FET 技术：JUNCTION最大反馈电容 (Crss)：3 pF
JESD-30 代码：R-CDSO-N3元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2N3822 数据手册

  
01/99  
B-3  
2N3821, 2N3822  
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor  
Absolute maximum ratings at T = 25¡C  
¥ VHF Amplifiers  
¥ Small Signal Amplifiers  
A
Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage  
Continuous Forward Gate Current  
Continuous Device Power Dissipation  
Power Derating  
– 50 V  
10 mA  
300 mW  
2mW/°C  
At 25°C free air temperature:  
Static Electrical Characteristics  
Gate Source Breakdown Voltage  
2N3821  
2N3822  
Process NJ32  
Test Conditions  
I = – 1 µA, V = ØV  
Min Max Min Max Unit  
V
– 50  
– 50  
V
– 0.1 nA  
– 0.1 µA  
V
(BR)GSS  
G
DS  
– 0.1  
– 0.1  
V
= – 30V, V = ØV  
GS  
DS  
Gate Reverse Current  
I
GSS  
V
= – 30V, V = ØV  
T = 150°C  
GS  
DS  
A
– 0.5 – 2  
V
= 15V, I = 50 µA  
DS  
D
Gate Source Voltage  
V
– 1 – 4  
V
V
V
= 15V, I = 200 µA  
GS  
DS  
D
V
= 15V, I = 400 µA  
DS  
D
Gate Source Cutoff Voltage  
V
– 4  
– 6  
10  
V
V
= 15V, I = 0.5 nA  
GS(OFF)  
DS  
D
Drain Saturation Current (Pulsed)  
I
0.5 2.5  
2
mA  
nA  
µA  
V
= 15V, V = ØV  
DSS  
DS  
GS  
V
= 15V, V = – 8V  
DS  
GS  
Drain Cutoff Current  
I
D(OFF)  
V
= 15V, V = – 8V  
T = 150°C  
DS  
GS  
A
Dynamic Electrical Characteristics  
Drain Source ON Resistance  
r
Ω
V
= ØV, I = Ø V  
f = 1 kHz  
f = 1 kHz  
ds(on)  
GS  
D
Common Source  
Forward Transconductance  
g
1500 4500 3000 6500 µS  
V
= 15V, V = ØV  
fs  
DS  
GS  
Common Source  
Forward Transmittance  
| Y |  
1500  
3000  
µS  
V
= 15V, V = ØV  
f = 100 MHz  
fs  
DS  
GS  
Common Source Output Conductance  
Common Source Input Capacitance  
g
10  
6
20  
6
µS  
pF  
V
= 15V, V = ØV  
f = 1 kHz  
f = 1 MHz  
os  
DS  
GS  
C
V
= 15V, V = ØV  
iss  
DS  
GS  
Common Source  
Reverse Transfer Capacitance  
C
2
200  
5
2
pF  
V
= 15V, V = ØV  
f = 1 MHz  
f = 10 Hz  
f = 10 Hz  
rss  
DS  
GS  
Equivalent Short Circuit  
Input Noise Voltage  
e¯  
200 nV/√Hz  
V
= 15V, V = ØV  
N
DS  
GS  
V
= 15V, V = ØV  
DS  
GS  
Noise Figure  
NF  
5
dB  
R = 1 MΩ  
G
TOÐ72 Package  
Dimensions in Inches (mm)  
Pin Configuration  
1 Source, 2 Drain, 3 Gate, 4 Case  
1000 N. Shiloh Road, Garland, TX 75042  
(972) 487-1287 FAX (972) 276-3375  
www.interfet.com  
1

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