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2N3772

更新时间： 2024-01-17 23:48:57

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管局域网高功率电源
页数	文件大小	规格书
4页	67K
描述
HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR

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2N3772 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-204AA
包装说明：	TO-3, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.12
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	20 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	0.2 MHz
Base Number Matches：	1

2N3772 数据手册

2N3771

2N3772

HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR

■

SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES

DESCRIPTION

The 2N3771, 2N3772 are silicon epitaxial-base

NPN transistors mounted in Jedec Jedec TO-3

metal case. They are intended for linear

amplifiers and inductive switching applications.

TO-3

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Value

Unit

2N3771

2N3772

V_CEO

V_CEV

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage (I_E= 0)

Collector-Emitter Voltage (V_BE= -1.5V)

Collector-Base Voltage (I_B= 0)

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

100

I_CM

I_B

Collector Peak Current

Base Current

7.5

I_BM

Base Peak Current

P_tot

T_stg

T_j

Total Dissipation at T_c≤ 25 C

150

-65 to 200

200

^oC

Storage Temperature

Max. Operating Junction Temperature

1/4

June 1997

12 3 4

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