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2N3772

更新时间： 2024-02-03 16:41:30

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TRSYS		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	69K
描述
NPN SILICON PLANAR POWER TRANSISTOR

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2N3772 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-204AA
包装说明：	TO-3, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.12
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	20 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	0.2 MHz
Base Number Matches：	1

2N3772 数据手册

Transys

Electronics

I M I T E D

2N3772

NPN SILICON PLANAR POWER TRANSISTOR

TO-3

Metal Can Package

Designed for Linear Amplifiers, Series Pass Regulators, and Inductive Switching Applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

UNITS

DESCRIPTION

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_CEX

V_EBO

I_C

VALUE

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current Continuous

Peak

100

I_B

Base Current Continuous

Peak

Power Dissipation @ T_c=25ºC

Derate Above 25ºC

P_D

150

W/ºC

ºC

0.855

- 65 to +200

T, T_stg

Operating And Storage Junction

Temperature Range

THERMAL RESISTANCE

Junction to Case

R_th(j-c)

0.170

ºC/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C=25ºC unless specified otherwise)

DESCRIPTION

SYMBOL

V_{CEO (sus)}

V_{CEX (sus)}

V_{CER (sus)}

TEST CONDITION

I_C=0.2A, I_B=0

MIN

MAX

UNITS

Collector Emitter Sustaing Voltage

Collector Cut Off Current

I_C=0.2A, R_BE=100W,V_EB=(off)=1.5V

I_C=0.2A, R_BE=100W,

V_CE=50V, I_B=0

CEO

V_CE=100V, V_EB(off)=1.5V

Collector Cut Off Current

5.0

CEV

T_c=150ºC

V_CE=45V, V_EB(off)=1.5V

V_CB=100V, I_E=0

V_BE=7V, I_C=0

5.0

Collector Cut Off Current

Emitter Cut Off Current

DC Current Gain

CBO

EBO

h_FE*

I_C=10A, V_CE=4V

I_C=20A, V_CE=4V

I_C=10A, I_B=1A

V_CE(sat)

Collector Emitter Saturation Voltage

Base Emitter On Voltage

1.4

4.0

2.2

I_C=20A, I_B=4A

BE(on)

I_C=10A, V_CE=4V

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