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2N2537

更新时间: 2024-02-07 14:47:35
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其他 - ETC 晶体晶体管
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5页 388K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-5

2N2537 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.87外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.8 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):20
JEDEC-95代码:TO-5JESD-30 代码:O-MBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:200 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.8 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):250 MHz
最大关闭时间(toff):40 ns最大开启时间(吨):40 ns
Base Number Matches:1

2N2537 数据手册

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