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2N2538

更新时间: 2024-01-31 02:46:00
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其他 - ETC 晶体晶体管
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1页 197K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-5

2N2538 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.91
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.8 A
集电极-发射极最大电压:30 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40JEDEC-95代码:TO-5
JESD-30 代码:O-MBCY-W3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.8 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):250 MHz最大关闭时间(toff):40 ns
最大开启时间(吨):40 nsBase Number Matches:1

2N2538 数据手册

  

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