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2N2479

更新时间: 2024-01-13 20:48:41
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安森美 - ONSEMI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 1225K
描述
TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,40V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-5, BIP General Purpose Small Signal

2N2479 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-39
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数:3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.46
基于收集器的最大容量:14 pF集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):30
JEDEC-95代码:TO-39JESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):150 MHzVCEsat-Max:0.85 V

2N2479 数据手册

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