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2N2273

更新时间: 2024-01-28 09:36:30
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描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18

2N2273 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.61
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.1 A
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):20
JESD-30 代码:O-MBCY-W3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:100 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.1 W认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL-19500/244B子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:GERMANIUM

2N2273 数据手册

  
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