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2N1775

更新时间: 2024-02-10 06:17:18
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极
页数 文件大小 规格书
1页 50K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,250V V(DRM),4.7A I(T),TO-208AB

2N1775 技术参数

是否无铅: 不含铅生命周期:Active
包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.12外壳连接:ANODE
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:15 mA
JEDEC-95代码:TO-64JESD-30 代码:O-MUPM-D2
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:8 A重复峰值反向电压:250 V
表面贴装:NO端子面层:MATTE TIN
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

2N1775 数据手册

  

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