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2KBPM01M

更新时间： 2024-02-19 00:48:32
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 36K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC, KBPM, 4 PIN

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2KBPM01M 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PSIP-W4针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.92
最小击穿电压：100 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.1 VJESD-30 代码：R-PSIP-W4
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：60 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：165 °C
最大输出电流：2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：4.7 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
子类别：Bridge Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

2KBPM01M 数据手册

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Discr ete P OWER & Sign a l  
Tech n ologies  
2KBPM005M/3N253 - 2KBPM10M/3N259  
0.125 X 45O  
(3.2) Typ  
0.600 (15.2)  
0.560 (14.3)  
Features  
0.460 (11.7)  
0.420 (10.7)  
0.500 (12.7)  
0.460 (11.7)  
• Surge overload rating: 60 amperes  
peak.  
• Reliable low cost construction utilizing  
molded plastic technique.  
0.500 Min  
(12.7)  
0.600 Min  
(15.2)  
KBPM  
0.034 (8.6)  
0.028 (7.6)  
0.160 (4.1)  
0.140 (3.6)  
0.060 Typ  
(1.52)  
2.0 Ampere Bridge Rectifiers  
Dimensions are in: inches (mm)  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
IO  
if(surge)  
PD  
Average Rectified Current  
2.0  
60  
A
A
Peak Forward Surge Current  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient,** per leg  
4.7  
33  
30  
W
mW/°C  
°C/W  
RθJA  
Tstg  
TJ  
Storage Temperature Range  
-55 to +165  
-55 to +165  
°C  
°C  
Operating Junction Temperature  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
**Device mounted on PCB with 0.47 x 0.47" (12 x 12 mm).  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Device  
Units  
M005M M01M  
M02M  
255  
M04M  
256  
M06M  
M08M  
M10M  
253  
50  
254  
100  
70  
257  
600  
420  
600  
258  
800  
560  
800  
259  
1000  
700  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
200  
400  
V
V
V
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
35  
140  
280  
50  
100  
200  
400  
1000  
DC Reverse Voltage  
(Rated VR)  
Maximum Reverse Leakage,  
total bridge @ rated VR TA = 25°C  
TA = 125°C  
5.0  
500  
µA  
µA  
Maximum Forward Voltage Drop,  
per bridge  
@ 3.14 A  
t < 8.35 ms  
1.1  
15  
V
I2t rating for fusing  
A2Sec  
Typical Junction Capacitance, per leg  
VR = 4.0 V, f = 1.0 MHz  
25  
pF  
2KBP005M/3N253-2KBP10M/3N259, Rev.  
A
1998 Fairchild Semiconductor Corporation  
123

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