2KBP02M-LF

更新时间： 2024-02-14 06:03:33

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WTE		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	39K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 200V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, KBPM, SIP-4

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2KBP02M-LF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PSIP-W4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.06	其他特性：	HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
最小击穿电压：	200 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSIP-W4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	最大非重复峰值正向电流：	60 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大重复峰值反向电压：	200 V	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

2KBP02M-LF 数据手册

2.0

1.5

T_J

= 150°C

T_J

= 25°C

1.0

0.5

0.1

Pulse Width

300 µs

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

150

225

V_F, INSTANTANEOUS FWD VOLTAGE (V)

Fig. 2 Typical Fwd Characteristics

T, TEMPERATURE (°C)

Fig. 1 Forward Current Derating Curve

100

T_j= 25°C

f = 1MHz

T_j= 150°c

Single Half

Sine Wave

(JEDEC Method)

100

V_R, REVERSE VOLTAGE (V)

NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz

Fig. 4 Typical Junction Capacitance

Fig. 3 Max Non-Repetitive Peak Fwd Surge Current

10,000

1000

T_j= 150°C

T_j= 100°C

100

T_j= 125°C

1.0

T_j= 25°C

0.1

0.01

100

120

140

PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE (%)

Fig. 5 Typical Reverse Characteristics

2KBP005M – 2KBP10M

2 of 3

123

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与2KBP02M-LF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2KBP02M-M4/51	VISHAY	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 200V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT	获取价格
2KBP04	EIC	SILICON BRIDGE RECTIFIERS	获取价格
2KBP04	MCC	2.0 Amp Glass Passivated Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts	获取价格
2KBP04	VISHAY	Single Phase Rectifier Bridge, 2 A	获取价格
2KBP04	INFINEON	2A single phase rectifier bridge	获取价格
2KBP04	NJSEMI	Diode Rectifier Bridge Single 400V 2A 4-Pin D-44	获取价格