2SD1772

更新时间： 2024-01-05 03:26:33

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描述
Silicon NPN triple diffusion planar type

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2SD1772 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.77
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

2SD1772 数据手册

Power Transistors

2SD1772, 2SD1772A

Silicon NPN triple diffusion planar type

For power amplification

Unit: mm

For TV vertical deflection output

Complementary to 2SB1192 and 2SB1192A

10.0±0.2

5.5±0.2

4.2±0.2

2.7±0.2

Features

Large collector power dissipation P_C

■

φ3.1±0.1

●

Full-pack package which can be installed to the heat sink with

one screw

1.3±0.2

1.4±0.1

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

+0.2

–0.1

0.5

0.8±0.1

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

Collector to

2SD1772

2SD1772A

2SD1772

200

V_CBO

2.54±0.25

base voltage

Collector to

200

5.08±0.5

150

V_CEO

emitter voltage 2SD1772A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

180

1:Base

2:Collector

3:Emitter

V_EBO

I_CP

TO–220 Full Pack Package(a)

I_C

Collector power T_C=25°C

P_C

dissipation

Ta=25°C

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

Unit

µA

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

V_CB= 200V, I_E= 0

I_EBO

V_EB= 4V, I_C= 0

µA

2SD1772

2SD1772A

Collector to emitter

voltage

150

180

V_CEO

V_EBO

I_C= 5mA, I_B= 0

Emitter to base voltage

I_E= 0.5mA, I_C= 0

h_FE1

V_CE= 10V, I_C= 100mA

240

Forward current transfer ratio

Base to emitter voltage

h_FE2

V_BE

V_CE= 10V, I_C= 300mA

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

I_C= 500mA, I_B= 50mA

Transition frequency

f_T

V_CE= 10V, I_C= 100mA, f = 1MHz

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

MHz

Collector output capacitance

C_ob

^*h_FE1Rank classification

Rank

h_FE1

60 to 140

100 to 240

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