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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SD1263
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2SD1263

更新时间： 2024-02-23 00:07:03
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
2页 49K
描述
Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification)

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2SD1263 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.75外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：0.75 A集电极-发射极最大电压：250 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：30 MHz
Base Number Matches：1

2SD1263 数据手册

 浏览型号2SD1263的Datasheet PDF文件第2页 
Power Transistors  
2SD1263, 2SD1263A  
Silicon NPN triple diffusion planar type  
For power amplification  
Unit: mm  
Features  
High collector to base voltage VCBO  
■
10.0±0.2  
5.5±0.2  
4.2±0.2  
●
2.7±0.2  
●
Full-pack package which can be installed to the heat sink with  
one screw  
φ3.1±0.1  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Collector to  
2SD1263  
2SD1263A  
2SD1263  
350  
1.3±0.2  
1.4±0.1  
VCBO  
V
base voltage  
Collector to  
400  
+0.2  
–0.1  
0.5  
250  
0.8±0.1  
VCEO  
V
emitter voltage 2SD1263A  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
300  
2.54±0.25  
VEBO  
ICP  
5
V
A
A
1.5  
5.08±0.5  
1
2
3
IC  
0.75  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
Collector power TC=25°C  
35  
PC  
W
dissipation  
Ta=25°C  
2
TO–220 Full Pack Package(a)  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Collector cutoff  
Symbol  
ICES  
Conditions  
min  
typ  
max  
Unit  
2SD1263  
2SD1263A  
2SD1263  
2SD1263A  
VCE = 350V, VBE = 0  
1
1
1
1
1
mA  
current  
VCE = 400V, VBE = 0  
VCE = 150V, IB = 0  
Collector cutoff  
current  
ICEO  
IEBO  
VCEO  
mA  
mA  
V
VCE = 200V, IB = 0  
Emitter cutoff current  
VEB = 5V, IC = 0  
Collector to emitter 2SD1263  
voltage 2SD1263A  
250  
300  
70  
IC = 30mA, IB = 0  
*
hFE1  
VCE = 10V, IC = 0.3A  
VCE = 10V, IC = 1A  
250  
Forward current transfer ratio  
hFE2  
VBE  
10  
Base to emitter voltage  
VCE = 10V, IC = 1A  
1.5  
1
V
V
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = 1A, IB = 0.2A  
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
VCE = 5V, IC = 0.5A, f = 10MHz  
30  
0.5  
2
MHz  
µs  
IC = 1A, IB1 = 0.1A, IB2 = – 0.1A,  
VCC = 50V  
µs  
0.5  
µs  
*hFE1 Rank classification  
Rank  
hFE1  
Q
P
70 to 150  
120 to 250  
1
12

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