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2SC2336A

更新时间： 2024-02-15 13:04:11

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	81K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC2336A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SFM	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.62	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	180 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	25 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	95 MHz
VCEsat-Max：	1 V	Base Number Matches：	1

2SC2336A 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC2336 2SC2336A 2SC2336B

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·Complement to type 2SA1006,

2SA1006A,2SA1006B

APPLICATIONS

·Audio frequency power amplifier

·High frequency power amplifier

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

180

200

250

180

200

250

UNIT

2SC2336

V_CBO

Open emitter

2SC2336A

2SC2336B

2SC2336

Collector-base voltage

V_CEO

Open base

2SC2336A

2SC2336B

Collector-emitter voltage

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

1.5

I_CM

Collector current-peak

3.0

T_a=25℃

T_C=25℃

1.5

P_T

Total power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC2336AP	ISC	Transistor	获取价格
2SC2336AQ	NEC	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy	获取价格
2SC2336AR	NEC	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy	获取价格
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