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2SB754

更新时间： 2024-02-04 14:11:31

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	115K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB754 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
Base Number Matches：	1

2SB754 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon PNP Power Transistors

2SB754

DESCRIPTION

·With TO-3P(I) package

·Complement to type 2SD844

·High collector current :I_C=-7A

·Low collector saturation voltage

·High power dissipation

APPLICATIONS

·High current switching applications

·Power amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-50

UNIT

Open base

-50

Open collector

-5

-7

I_E

Emitter current

T_a=25℃

T_C=25℃

2.5

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3 4

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