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2N5551

更新时间： 2024-02-07 02:16:03
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3页 46K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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2N5551 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：7.99最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：160 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

2N5551 数据手册

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TIGER ELECTRONIC CO.,LTD  
2N5551  
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR  
Description  
The 2N5551 is designed for amplifier transistor.  
Features  
• Complements to PNP Type 2N5401.  
• High Collector-Emitter Breakdown Voltage. VCEO>160V (@IC=1mA)  
Absolute Maximum Ratings  
• Maximum Temperatures  
Storage Temperature............................................................................................... -55~+150°C  
Junction Temperature ..................................................................................... +150°C Maximum  
• Maximum Power Dissipation  
Total Power Dissipation (Ta=25°C) ................................................................................ 625 mW  
• Maximum Voltages and Currents (Ta=25°C)  
VCBO Collector to Base Voltage ....................................................................................... 180 V  
VCEO Collector to Emitter Voltage .................................................................................... 160 V  
VEBO Emitter to Base Voltage .............................................................................................. 6 V  
IC Collector Current ....................................................................................................... 600 mA  
(Ta=25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Min.  
180  
160  
6
-
-
-
-
-
Typ.  
-
-
-
-
-
-
-
Max.  
Unit  
V
V
Test Conditions  
IC=100uA, IE=0  
IC=1.0mA, IB=0  
IE=10uA, IC=0  
VCB=120V, IE=0  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
-
-
-
V
50  
50  
0.15  
0.2  
1
1
-
400  
-
300  
6
nA  
nA  
V
V
V
IEBO  
VEB=4V, IC=0  
VCE(sat)1  
VCE(sat)2  
VBE(sat)1  
VBE(sat)2  
hFE1  
IC=10mA, IB=1.0mA  
IC=50mA, IB=5mA  
IC=10mA, IB=1mA  
IC=50mA, IB=5mA  
VCE=5V, IC=1mA  
VCE=5V, IC=10mA  
VCE=5V, IC=50mA  
VCE=10V, IC=10mA, f=100MHz  
VCB=10V, f=1MHz, IE=0  
-
-
-
-
V
>80  
80  
50  
100  
-
hFE2  
hFE3  
fT  
Cob  
160  
-
-
-
MHz  
pF  
Classification of hFE2  
Rank  
A
N
C
Range  
80-200  
100-250  
160-400  
TIGER ELECTRONIC CO.,LTD  
123

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