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2N5551

更新时间： 2024-02-11 13:07:54

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AVICTEK		晶体放大器晶体管
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1页	70K
描述
NPN General Purpose Amplifier

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2N5551 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	7.99	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	160 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2N5551 数据手册

@vic

2N5551

NPN General Purpose Amplifier

TO – 92

FEATURES & USE

★ High Collector Breakdown Voltage; Low Noise;

★ Complementary to 2N5401

★ This device is designed as a general purpose amplifier and switch for

applications requiring high voltages.

1.Emitter 2.Base 3.Collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25`C

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

Parameter

Collector-Base Voltage

Ratings

Units

180

160

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

600

Junction Temperature

Storage Temperature

150

TSTG

-55 - 150

Electrical Characteristics Ta = 25`C

Symbol

Parameter

Test Condition

Min.

Typ.

Max. Units

BVCBO Collector-Base Breakdown Voltage

BVCEO Collector-Emitter Breakdown Voltage

IC=100μA，IE=0

IC=1mA，IB=0

180

160

BVEBO

ICBO

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

IE=100μA，IC=0

VCB=120V, IE=0

VEB=4V, IC=0

200

300

0.25

1.0

IEBO

Emitter Cut-off Current

HFE

DC Current Gain

VCE=5V, IC=10mA

IC=50mA, IB=5mA

VCE(sat)

VBE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

hFE Classification

Classification

200-230

250-300

hFE

50-100

100-150

150-200

230-250

Website:http://www.avictek.com

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