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2N3906

更新时间： 2024-01-28 01:25:16

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DAYA		晶体晶体管开关 PC
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2页	201K
描述
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

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2N3906 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.58	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
最大关闭时间（toff）：	300 ns	最大开启时间（吨）：	70 ns
Base Number Matches：	1

2N3906 数据手册

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

2N3906 ^{TRANSISTOR (PNP)}

TO-92

FEATURE

PNP silicon epitaxial planar transistor for switching and

Amplifier applications

As complementary type, the NPN transistor 2N3904 is

Recommended

This transistor is also available in the SOT-23 case with

the type designation MMBT3906

1.EMITTER

2.BASE

3. COLLECTOR

1 2 3

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

-40

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-40

-5

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

-0.2

P_C

0.625

150

℃

T_J

T_stg

Storage Temperature

-55-150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test

conditions

MIN

-40

-5

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C= -10μA, I_E=0

I_C=-1mA , I_B=0

I_E= -10μA, I_C=0

V_CB= -40 V,I_E=0

V_CE= -30 V,V_BE(off)=-3V

-0.1

-50

μA

Collector cut-off current

I_CEX

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB= -5 V ,

I_C=0

-0.1

400

h_FE1

V_CE=-1 V, I_C= -10mA

V_CE=-1 V, I_C= -50mA

V_CE=-1 V, I_C= -100mA

I_C= -50mA, I_B= -5mA

100

DC current gain

h_FE2

h_FE3

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

-0.4

-0.95

_CE=-20V, I_C= -10mA

f = 100MHz

_CC=-3V,V_BE=-0.5V,

I_C=-10mA,I_B1=-1mA

_CC=-3V,Ic=-10mA

I_B1=I_B2=-1mA

Transition frequency

f_T

250

MHz

Delay Time

Rise Time

Storage Time

Fall Time

225

CLASSIFICATION OF h_FE1

Rank

Range

100-200

200-300

300-400

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